SH SS 终端工厂供应商

石树（上海）电子有限公司

IGBT(su Izoliuota Užtūra Bipoliniu Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电乐驱动式功率半导体器件并兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小，开关速度闪快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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公司介绍：

（主要专营: 日本富士机电第四代IGBTPIM、整流桥、IGBT单管等:美国IXYS品牌可控硅模块、失速二极管、整流桥等，德国SSEMIKRON&Dotec贴片TVC、肖特基、快速恢复二极管等;

日本三菱电机IGBT，VTR，IPM智能模块场效应管等;德国SEMIKRON Infineon品牌IGBT模块、可控硅模块、整流桥等:日本三社电机可控硅、快恢复二极管、整流桥等;

{主要代理经销 :日本三菱，富士、东芝日立、三肯、三社、英达:德国西门子、欧派克(EUPEC)、西门康、IXYS ， 美国IR; 西班牙CATTELEC、瑞士ABB公司生产的IGBT模块、IPM、PIM ,GTR可控硅、整流桥、二极管等功率模块;

IGTB、GTR驱动模块、可控硅触发板、光耦;日本日立、红宝石、黑金刚电解电容美国CDE电解电容及无感电容;日本富士(CR6L系列)日本日之出(660GH系列)美国BUSSMANN..

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产品照片：BSM35GD120DN2